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IGBT中频电源与晶闸管中频电源调节功率的方式有什么不同

发布时间 2022-09-02     发布人: admin     浏览次数:618

1、可控硅并联感应加热设备调节功率是通过调节整流可控硅的导通角 实现的,在设备工作在小功率时,可控硅导通角减小,电网的功率因 数就会降低。因此必须另配功率因数补偿柜,增加新的投入,如果不 另配功率因数补偿柜,将会导致用户配电室的功率因数补偿柜电容损 坏或供电变压器发热。用户的投入增加,并且带来了电源效率的损耗。 IGBT 串联感应加热设备调节功率采用逆变侧调节方式,整流电路采 用二极管,整流的功率因数为100%,不需要在配电柜中另外配置设 备。 

2. IGBT 串联感应加热设备工作时,开关器件承受的反压很小,其大小 仅仅是开关器件反并联二极管的导通压降,非常小。 可控硅并联电源工作时,开关器件承受承受反压较大。由于自关断器 件IGBT承受反压的能力很低,因此应用中需要给每个桥臂的主开关 管串接同等容量的快恢复二极管,增加了损耗。 航空地面电源2,36V航空电源1,400HZ变频电源7,115/200V电源2,27V直流电源5,400HZ电源12,航空电源 

3. IGBT串联感应加热设备的逆变器输入相当于恒压源,负载为R,L和 C串联,其输出电压为矩形波,电流为近似正弦波。其中的IGBT由于 承受矩形电压,故dt/ du较大,吸收电路起着关键作用,而对其dt/di 要求则较低。 可控硅并联电源的逆变器输入相当于恒流源,负载为R,L和C并联, 其输出电流为矩形波,输出电压为近似正弦波。其中的IGBT承受矩形电流, dt/ di较大,有时为了减小dt/di,必须在电路中串联电感以限制dt /di ,电感增加损耗。